取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 200mOhm @ 9A, 5V |
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| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1120 pF @ 25 V |
| メーカー | Infineon Technologies |
| 実装タイプ | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| シリーズ | SIPMOS® |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| ドレイン-ソース間電圧 | 200 V |
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| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 14.5A (Tc) |
| 最大消費電力 | 95W (Tc) |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
|---|---|
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| サプライヤーデバイスパッケージ | PG-TO262-3 |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
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