BTS282ZE3230

Infineon Technologies

BTS282ZE3230

アナログ・電源

N-CHANNEL POWER MOSFET

量産中TO-220-7アナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs6.5mOhm @ 36A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs232 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4800 pF @ 25 V
メーカーInfineon Technologies
実装タイプThrough Hole
Product StatusActive
シリーズTEMPFET®
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 240µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧49 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C80A (Tc)
最大消費電力300W (Tc)

機械特性

パッケージBulk
Package / CaseTO-220-7
サプライヤーデバイスパッケージPG-TO220-7-12

環境条件

動作温度-40°C~175°C(TJ)