BSZ215CHXTMA1

Infineon Technologies

BSZ215CHXTMA1

データシート

アナログ・電源

MOSFET N/P-CH 20V 8TSDSON

量産中8-PowerTDFNアナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs55mOhm @ 5.1A, 4.5V
構成N and P-Channel Complementary
FET FeatureLogic Level Gate, 2.5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2.8nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds419pF @ 10V
メーカーInfineon Technologies
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
シリーズOptiMOS™
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.4V @ 110µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5.1A, 3.2A
Power - Max2.5W

機械特性

パッケージTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-PowerTDFN
サプライヤーデバイスパッケージPG-TSDSON-8

環境条件

GradeAutomotive
動作温度-55°C ~ 175°C (TJ)
QualificationAEC-Q101