BSP149 E6327

Infineon Technologies

BSP149 E6327

データシート

アナログ・電源

MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4

旧品種TO-261-4, TO-261AAアナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.8Ohm @ 660mA, 10V
FET FeatureDepletion Mode
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds430 pF @ 25 V
メーカーInfineon Technologies
実装タイプSurface Mount
Product StatusObsolete
シリーズSIPMOS®
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 400µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)0V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C660mA (Ta)
最大消費電力1.8W (Ta)

機械特性

パッケージTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-261-4, TO-261AA
サプライヤーデバイスパッケージPG-SOT223-4

環境条件

動作温度-55°C ~ 150°C (TJ)