BSF110N06NT3GXUMA1

Infineon Technologies

BSF110N06NT3GXUMA1

アナログ・電源

N-CHANNEL POWER MOSFET

量産中DirectFET™ Isometric STアナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs11mOhm @ 30A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3700 pF @ 30 V
メーカーInfineon Technologies
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
シリーズOptiMOS™ 3
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 33µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C47A (Tc)
最大消費電力38W (Tc)

機械特性

パッケージBulk
Package / CaseDirectFET™ Isometric ST
サプライヤーデバイスパッケージMG-WDSON-2

環境条件

動作温度-40°C~150°C(TJ)