BSC200P03LSG

Infineon Technologies

BSC200P03LSG

アナログ・電源

P-CHANNEL POWER MOSFET

量産中8-PowerTDFNアナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs20mOhm @ 12.5A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs48.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2430 pF @ 15 V
メーカーInfineon Technologies
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
シリーズOptiMOS®
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±25V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 100µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C9.9A (Ta), 12.5A (Tc)
最大消費電力2.5W (Ta), 63W (Tc)

機械特性

パッケージBulk
Package / Case8-PowerTDFN
サプライヤーデバイスパッケージPG-TDSON-8-6

環境条件

動作温度-55°C~150°C(TJ)