BSC0911NDATMA1

Infineon Technologies

BSC0911NDATMA1

データシート

アナログ・電源

MOSFET 2N-CH 25V 18A/30A TISON8

量産中8-PowerTDFNアナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs3.2mOhm @ 20A, 10V
ベース品番BSC0911
構成2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET FeatureLogic Level Gate, 4.5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs12nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1600pF @ 12V
メーカーInfineon Technologies
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
シリーズOptiMOS™
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C18A, 30A
Power - Max1W

機械特性

パッケージTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-PowerTDFN
サプライヤーデバイスパッケージPG-TISON-8

環境条件

動作温度-55°C ~ 150°C (TJ)