BSC0802LSATMA1

Infineon Technologies

BSC0802LSATMA1

データシート

アナログ・電源

MOSFET N-CH 100V 20A/100A TDSON

生産終了8-PowerTDFNアナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs3.4mOhm @ 50A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs46 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds6500 pF @ 50 V
メーカーInfineon Technologies
実装タイプSurface Mount
Product StatusNot For New Designs
シリーズOptiMOS™ 5
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.3V @ 115µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C20A (Ta), 100A (Tc)
最大消費電力156W (Tc)

機械特性

パッケージTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerTDFN
サプライヤーデバイスパッケージPG-TDSON-8-7

環境条件

動作温度-55°C~150°C(TJ)