BSC042NE7NS3 G

Infineon Technologies

BSC042NE7NS3 G

アナログ・電源

N-CHANNEL POWER MOSFET

量産中8-PowerTDFNアナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs4.2mOhm @ 50A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4800 pF @ 37.5 V
メーカーInfineon Technologies
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
シリーズOptiMOS™ 3
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.8V @ 91µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧75 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C19A (Ta), 132A (Tc)
最大消費電力2.5W (Ta), 125W (Tc)

機械特性

パッケージBulk
Package / Case8-PowerTDFN
サプライヤーデバイスパッケージPG-TDSON-8-1

環境条件

動作温度-55°C~150°C(TJ)