BSB165N15NZ3G

Infineon Technologies

BSB165N15NZ3G

アナログ・電源

BSB165N15 - 12V-300V N-CHANNEL P

量産中DirectFET™ Isometric MZアナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs16.5mOhm @ 30A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2800 pF @ 75 V
メーカーInfineon Technologies
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
シリーズOptiMOS®
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 110µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧150 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)8V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C9A (Ta), 45A (Tc)
最大消費電力2.8W (Ta), 78W (Tc)

機械特性

パッケージBulk
Package / CaseDirectFET™ Isometric MZ
サプライヤーデバイスパッケージMG-WDSON-2-9

環境条件

動作温度-40°C~150°C(TJ)