AIMW120R035M1HXKSA1

Infineon Technologies

AIMW120R035M1HXKSA1

データシート

アナログ・電源

1200V COOLSIC MOSFET PG-TO247-3

量産中TO-247-3アナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs46mOhm @ 25A, 18V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs59 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2130 pF @ 800 V
メーカーInfineon Technologies
実装タイプThrough Hole
Product StatusActive
シリーズCoolSiC™
技術SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Max)+23V, -7V
Vgs(th) (Max) @ Id5.7V @ 10mA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧1200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C52A (Tc)
最大消費電力228W (Tc)

機械特性

パッケージTube

環境条件

GradeAutomotive
動作温度-55°C ~ 175°C (TJ)
QualificationAEC-Q101