一般
| ベース品番 | 2EDL8123 |
|---|---|
| Channel Type | Independent |
| Driven Configuration | Half-Bridge |
| Gate Type | N-Channel MOSFET |
| 入力タイプ | Non-Inverting |
| メーカー | Infineon Technologies |
| 実装タイプ | Surface Mount |
| Number of Drivers | 2 |
| Product Status | Active |
| Rise / Fall Time (Typ) | 45ns, 45ns |
製品属性
取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。
電気特性
| Current - Peak Output (Source, Sink) | 3A, 5A |
|---|---|
| High Side Voltage - Max (Bootstrap) | 120 V |
| 電源電圧 | 8V ~ 17V |
機械特性
| パッケージ | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
|---|---|
| Package / Case | 10-VFDFN Exposed Pad |
| サプライヤーデバイスパッケージ | PG-VSON-10-4 |
環境条件
| 動作温度 | -40°C ~ 125°C (TJ) |
|---|