71V416S10BE

IDT, Integrated Device Technology Inc

71V416S10BE

メモリ・ストレージ

IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA

量産中48-TFBGAメモリ・ストレージ

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

メモリタイプVolatile
技術SRAM - Asynchronous
アクセス時間10 ns
ベース品番71V416S
メーカーIDT, Integrated Device Technology Inc
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
書き込みサイクル時間10ns

電気特性

メモリ容量4Mbit
メモリ形式SRAM
Memory InterfaceParallel
電源電圧3V ~ 3.6V
Memory Organization256K x 16

機械特性

パッケージBulk
Package / Case48-TFBGA
サプライヤーデバイスパッケージ48-CABGA (9x9)

環境条件

動作温度0°C~70°C(TA)