71P74604S200BQ

IDT, Integrated Device Technology Inc

71P74604S200BQ

メモリ・ストレージ

IC SRAM 18MBIT PAR 165CABGA

量産中165-TBGAメモリ・ストレージ

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

メモリタイプVolatile
技術SRAM - Synchronous, QDR II
アクセス時間8.4 ns
ベース品番71P74
メーカーIDT, Integrated Device Technology Inc
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive

電気特性

メモリ容量18Mbit
メモリ形式SRAM
Memory InterfaceParallel
クロック周波数200 MHz
電源電圧1.7V ~ 1.9V
Memory Organization512K x 36

機械特性

パッケージBulk
Package / Case165-TBGA
サプライヤーデバイスパッケージ165-CABGA (13x15)

環境条件

動作温度0°C~70°C(TA)