RFW2N06RLE

Name: RFW2N06RLE
Brand: Harris Corporation

アナログ・電源

N-CHANNEL POWER MOSFET

量産中4-DIP (0.300", 7.62mm)アナログ・電源

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	200mOhm @ 2A, 5V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	535 pF @ 25 V
メーカー	Harris Corporation
実装タイプ	Through Hole
Product Status	Active
技術	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	+10V, -5V
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA

ドレイン-ソース間電圧	60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	2A (Tc)
最大消費電力	1.09W (Tc)

動作温度	-55°C~150°C(TJ)