一般
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600mOhm @ 5A, 10V |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3000 pF @ 25 V |
| メーカー | Harris Corporation |
| 実装タイプ | Through Hole |
| 梱包 | Bulk |
| 製品ステータス | 量産中 |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
製品属性
取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。
電気特性
| ドレイン-ソース間電圧 | 500 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Tc) |
| 最大消費電力 | 150W (Tc) |
機械特性
| Package / Case | TO-218-3 Isolated Tab, TO-218AC |
|---|---|
| サプライヤーデバイスパッケージ | TO-218 Isolated |
環境条件
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
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