RFD7N10LE

Name: RFD7N10LE
Brand: Harris Corporation

アナログ・電源

N-CHANNEL POWER MOSFET

量産中TO-220-3アナログ・電源

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	300mOhm @ 7A, 5V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	360 pF @ 25 V
メーカー	Harris Corporation
実装タイプ	Through Hole
Product Status	Active
技術	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	+10V, -8V
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA

ドレイン-ソース間電圧	100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	7A (Tc)
最大消費電力	47W (Tc)

動作温度	-55°C ~ 175°C (TJ)