RF1S640SM

Harris Corporation

RF1S640SM

アナログ・電源

MOSFET N-CH 200V 18A TO263AB

量産中TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263ABアナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs180mOhm @ 10A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1275 pF @ 25 V
メーカーHarris Corporation
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C18A (Tc)
最大消費電力125W (Tc)

機械特性

パッケージBulk
Package / CaseTO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
サプライヤーデバイスパッケージTO-263AB

環境条件

動作温度-55°C ~ 150°C (TJ)