MWS5114D2

Harris Corporation

MWS5114D2

メモリ・ストレージ

IC SRAM 4KBIT PARALLEL 18SBDIP

量産中18-CDIP (0.300", 7.62mm)メモリ・ストレージ

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

メモリタイプVolatile
技術SRAM - Synchronous
アクセス時間250 ns
ベース品番MWS5114
メーカーHarris Corporation
実装タイプThrough Hole
Product StatusActive
書き込みサイクル時間250ns

電気特性

メモリ容量4Kbit
メモリ形式SRAM
Memory InterfaceParallel
電源電圧4.5V ~ 6.5V
Memory Organization1K x 4

機械特性

パッケージBulk
Package / Case18-CDIP (0.300", 7.62mm)
サプライヤーデバイスパッケージ18-SBDIP

環境条件

動作温度0°C~70°C(TA)