MWS5101AEL3

Harris Corporation

MWS5101AEL3

メモリ・ストレージ

IC SRAM 1KBIT PARALLEL 22DIP

量産中22-DIP (0.400", 10.16mm)メモリ・ストレージ

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

メモリタイプVolatile
技術SRAM - Asynchronous
アクセス時間350 ns
ベース品番MWS5101
メーカーHarris Corporation
実装タイプThrough Hole
Product StatusActive
書き込みサイクル時間400ns

電気特性

メモリ容量1Kbit
メモリ形式SRAM
Memory InterfaceParallel
電源電圧4.5V ~ 5.5V
Memory Organization256 x 4

機械特性

パッケージBulk
Package / Case22-DIP (0.400", 10.16mm)
サプライヤーデバイスパッケージ22-PDIP

環境条件

動作温度0°C~70°C(TA)