IRF120

Harris Corporation

IRF120

アナログ・電源

N-CHANNEL POWER MOSFET

量産中TO-204AAアナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs300mOhm @ 4A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds600 pF @ 25 V
メーカーHarris Corporation
実装タイプThrough Hole
Product StatusActive
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C8A (Tc)
最大消費電力40W (Tc)

機械特性

パッケージBulk
Package / CaseTO-204AA
サプライヤーデバイスパッケージTO-3

環境条件

動作温度-55°C ~ 150°C (TJ)