HM3-6508B-9

Harris Corporation

HM3-6508B-9

メモリ・ストレージ

IC SRAM 1KBIT PARALLEL 16DIP

量産中16-DIP (0.300", 7.62mm)メモリ・ストレージ

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

メモリタイプVolatile
技術SRAM - Asynchronous
アクセス時間180 ns
ベース品番HM3-6508
メーカーHarris Corporation
実装タイプThrough Hole
Product StatusActive
書き込みサイクル時間280ns

電気特性

メモリ容量1Kbit
メモリ形式SRAM
Memory InterfaceParallel
電源電圧4.5V ~ 5.5V
Memory Organization1K x 1

機械特性

パッケージBulk
Package / Case16-DIP (0.300", 7.62mm)
サプライヤーデバイスパッケージ16-PDIP

環境条件

動作温度-40°C ~ 85°C (TA)