一般
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 85mOhm @ 13A, 10V |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1300 pF @ 25 V |
| メーカー | Harris Corporation |
| 実装タイプ | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| シリーズ | SIPMOS® |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
製品属性
取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。
電気特性
| ドレイン-ソース間電圧 | 100 V |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 21A (Tc) |
機械特性
| パッケージ | Tube |
|---|---|
| Package / Case | TO-220-3 |
| サプライヤーデバイスパッケージ | TO-220AB |