GT52N10D5

Goford Semiconductor

GT52N10D5

データシート

アナログ・電源

N100V,RD(MAX)<7.5M@10V,RD(MAX)<1

量産中8-PowerTDFNアナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs7.5mOhm @ 50A, 10V
FET FeatureStandard
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs44.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2626 pF @ 50 V
メーカーGoford Semiconductor
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
シリーズSGT
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C71A (Tc)
最大消費電力79W (Tc)

機械特性

パッケージTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-PowerTDFN
サプライヤーデバイスパッケージ8-DFN (5.2x5.86)

環境条件

動作温度-55°C ~ 150°C (TJ)