GT110N06D3

Goford Semiconductor

GT110N06D3

データシート

アナログ・電源

N60V, 35A,RD<11M@10V,VTH1.0V~2.4

量産中8-PowerVDFNアナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs11mOhm @ 14A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1059 pF @ 30 V
メーカーGoford Semiconductor
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
シリーズGT
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.4V @ 250µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C35A (Tc)
最大消費電力25W (Tc)

機械特性

パッケージTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerVDFN
サプライヤーデバイスパッケージ8-DFN (3.15x3.05)

環境条件

動作温度-55°C~150°C(TJ)