GT080N10M

Goford Semiconductor

GT080N10M

データシート

アナログ・電源

MOSFET N-CH 100V 70A TO-263

量産中アナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs7.5mOhm @ 20A, 10V
FET FeatureStandard
FET TypeN-Channel
メーカーGoford Semiconductor
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
シリーズSGT
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

電気特性

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C70A (Tc)
最大消費電力100W (Tc)

機械特性

パッケージTape & Reel (TR)
サプライヤーデバイスパッケージTO-263

環境条件

動作温度-55°C ~ 150°C (TJ)