GS120R045Q4

Goford Semiconductor

GS120R045Q4

アナログ・電源

SiC MOSFET N-CH 1200V 60A TO-24

量産中TO-247-4アナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs52mOhm @ 20A, 18V
FET TypeN-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2565 pF @ 1000 V
メーカーGoford Semiconductor
実装タイプThrough Hole
Product StatusActive
技術SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Max)-10V, +20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 10mA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧1200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C60A (Tc)
最大消費電力395W (Tc)

機械特性

パッケージTube
Package / CaseTO-247-4
サプライヤーデバイスパッケージTO-247-4L

環境条件

動作温度-55°C ~ 175°C (TJ)