GC20N65Q

Goford Semiconductor

GC20N65Q

データシート

アナログ・電源

N650V,RD(MAX)<170M@10V,VTH2.5V~4

量産中TO-247-3アナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs170mOhm @ 10A, 10V
FET FeatureStandard
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1724 pF @ 100 V
メーカーGoford Semiconductor
実装タイプThrough Hole
Product StatusActive
シリーズCool MOS™
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 250µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C20A (Tc)
最大消費電力151W (Tc)

機械特性

パッケージTube
Package / CaseTO-247-3
サプライヤーデバイスパッケージTO-247

環境条件

動作温度-55°C ~ 150°C (TJ)