GC11N65M

Name: GC11N65M
Brand: Goford Semiconductor

アナログ・電源

N650V,RD(MAX)<360M@10V,VTH2.5V~4

量産中TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABアナログ・電源

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	360mOhm @ 5.5A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	768 pF @ 50 V
メーカー	Goford Semiconductor
実装タイプ	Surface Mount
Product Status	Active
技術	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±30V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA

ドレイン-ソース間電圧	650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	11A (Tc)
最大消費電力	78W (Tc)

動作温度	-55°C~150°C(TJ)