G65P06D5

Goford Semiconductor

G65P06D5

データシート

アナログ・電源

P60V,RD(MAX)<18M@-10V,VTH-2V~-3V

量産中8-PowerTDFNアナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs18mOhm @ 20A, 10V
FET FeatureStandard
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds5814 pF @ 25 V
メーカーGoford Semiconductor
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
シリーズTrenchFET®
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.5V @ 250µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C65A (Tc)
最大消費電力104W (Tc)

機械特性

パッケージTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-PowerTDFN
サプライヤーデバイスパッケージ8-DFN (4.9x5.75)

環境条件

動作温度-55°C ~ 150°C (TJ)