G630J

Name: G630J
Brand: Goford Semiconductor

アナログ・電源

N200V, 9A,RD<0.28@10V,VTH1.0V~3

量産中TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AAアナログ・電源

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	280mOhm @ 4.5A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	11.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	509 pF @ 25 V
メーカー	Goford Semiconductor
実装タイプ	Through Hole
Product Status	Active
シリーズ	G
技術	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA

ドレイン-ソース間電圧	200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	11A (Tc)
最大消費電力	83W (Tc)

動作温度	-55°C~150°C(TJ)