G60N04D52

Goford Semiconductor

G60N04D52

データシート

アナログ・電源

MOSFET 40V 35A 8DFN

量産中8-PowerTDFNアナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs9mOhm @ 20A, 10V
ベース品番G60
FET FeatureStandard
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs27nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1998pF @ 20V
メーカーGoford Semiconductor
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
シリーズTrenchFET®
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C35A (Tc)
Power - Max20W (Tc)

機械特性

パッケージTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerTDFN
サプライヤーデバイスパッケージ8-DFN (4.9x5.75)

環境条件

動作温度-55°C ~ 150°C (TJ)