G58N06K

Goford Semiconductor

G58N06K

データシート

アナログ・電源

N60V,58A,RD<13M@10V,VTH1.0V~2.5V

量産中TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63アナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs13mOhm @ 30A, 10V
FET FeatureStandard
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2841 pF @ 30 V
メーカーGoford Semiconductor
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
シリーズTrenchFET®
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C58A (Tc)
最大消費電力71W (Tc)

機械特性

パッケージTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
サプライヤーデバイスパッケージTO-252

環境条件

動作温度-55°C ~ 150°C (TJ)