G2K3N10L6

Goford Semiconductor

G2K3N10L6

データシート

アナログ・電源

MOSFET 2N-CH 100V 3A SOT23-6L

量産中SOT-23-6アナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs220mOhm @ 2A, 10V
ベース品番G2K3N
構成2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.8nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds536pF @ 50V
メーカーGoford Semiconductor
実装タイプSurface Mount
梱包Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
製品ステータス量産中
シリーズTrenchFET®
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.2V @ 250µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3A (Tc)
Power - Max1.67W (Tc)

機械特性

Package / CaseSOT-23-6
サプライヤーデバイスパッケージSOT-23-6L

環境条件

動作温度-55°C ~ 150°C (TJ)