G20N06D52

Goford Semiconductor

G20N06D52

データシート

アナログ・電源

MOSFET 2N-CH 60V 20A 8DFN

量産中8-DFN (4.9x5.75)アナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs30mOhm @ 20A, 10V
ベース品番G20N
FET FeatureStandard
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs25nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1326pF @ 30V
メーカーGoford Semiconductor
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
シリーズTrenchFET®
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C20A (Tc)
Power - Max48W (Tc)

機械特性

パッケージTape & Reel (TR)
Package / Case8-DFN (4.9x5.75)
サプライヤーデバイスパッケージ8-PowerTDFN

環境条件

動作温度-55°C ~ 175°C (TJ)