G20N03D2

Goford Semiconductor

G20N03D2

データシート

アナログ・電源

N30V,RD(MAX)<24M@10V,RD(MAX)<29M

量産中6-WDFN Exposed Padアナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs15mOhm @ 5A, 10V
FET FeatureStandard
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds873 pF @ 30 V
メーカーGoford Semiconductor
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
シリーズTrenchFET®
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C9A (Tc)
最大消費電力1.5W (Tc)

機械特性

パッケージTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case6-WDFN Exposed Pad
サプライヤーデバイスパッケージ6-DFN (2x2)

環境条件

動作温度-55°C ~ 150°C (TJ)