G2012

Name: G2012
Brand: Goford Semiconductor

アナログ・電源

N20V,RD(MAX)<12M@4.5V,RD(MAX)<18

量産中6-WDFN Exposed Padアナログ・電源

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	12mOhm @ 5A, 4.5V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1255 pF @ 10 V
メーカー	Goford Semiconductor
実装タイプ	Surface Mount
Product Status	Active
技術	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±10V
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA

ドレイン-ソース間電圧	20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	12A (Tc)
最大消費電力	1.5W (Tc)

動作温度	-55°C~150°C(TJ)