一般
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110mOhm @ 8A, 10V |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22 nC @ 10 V |
| メーカー | Goford Semiconductor |
| 実装タイプ | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
製品属性
取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。
電気特性
| ドレイン-ソース間電圧 | 100 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 15A (Tc) |
| 最大消費電力 | 42W (Tc) |
機械特性
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
|---|---|
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| サプライヤーデバイスパッケージ | TO-252 |
環境条件
| 動作温度 | -55°C~150°C(TJ) |
|---|