G06N06S2

Goford Semiconductor

G06N06S2

データシート

アナログ・電源

MOSFET 2N-CH 60V 6A 8SOP

量産中8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)アナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs25mOhm @ 6A, 10V
構成2 N-Channel
FET FeatureStandard
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs46nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1600pF @ 30V
メーカーGoford Semiconductor
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.4V @ 250µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6A (Tc)
Power - Max2.1W (Tc)

機械特性

パッケージTape & Reel (TR)
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ8-SOP

環境条件

動作温度-55°C ~ 150°C (TJ)