G3S12010D

Global Power Technology-GPT

G3S12010D

データシート

アナログ・電源

DIODE SIL CARB 1.2KV 33.2A TO263

量産中アナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Capacitance @ Vr, F765pF @ 0V, 1MHz
メーカーGlobal Power Technology-GPT
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)0 ns
技術SiC (Silicon Carbide) Schottky

電気特性

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.7 V @ 10 A
Current - Average Rectified (Io)33.2A
Current - Reverse Leakage @ Vr50 µA @ 1200 V
速度No Recovery Time > 500mA (Io)

機械特性

パッケージCut Tape (CT) Tape & Box (TB)
サプライヤーデバイスパッケージTO-263

環境条件

Operating Temperature - Junction-55°C ~ 175°C