一般
| Capacitance @ Vr, F | 181pF @ 0V, 1MHz |
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| メーカー | Global Power Technology-GPT |
| 実装タイプ | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| 技術 | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
製品属性
取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。
電気特性
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
|---|---|
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 3 A |
| Current - Average Rectified (Io) | 11.5A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 50 µA @ 650 V |
| 速度 | No Recovery Time > 500mA (Io) |
機械特性
| パッケージ | Cut Tape (CT) Tape & Box (TB) |
|---|---|
| サプライヤーデバイスパッケージ | TO-263 |
環境条件
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
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