GD9FU8G8E3ALGI

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

GD9FU8G8E3ALGI

データシート

メモリ・ストレージ

IC MEMORY

量産中63-VFBGAメモリ・ストレージ

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

メモリタイプNon-Volatile
技術FLASH - NAND (SLC)
アクセス時間18 ns
ベース品番GD9FU8G8
メーカーGigaDevice Semiconductor (HK) Limited
実装タイプSurface Mount
梱包Tray
製品ステータス量産中
シリーズGD9F
書き込みサイクル時間20ns

電気特性

メモリ容量8Gbit
メモリ形式FLASH
Memory InterfaceONFI
電源電圧2.7V ~ 3.6V
Memory Organization1G x 8

機械特性

Package / Case63-VFBGA
サプライヤーデバイスパッケージ63-FBGA (9x11)

環境条件

動作温度-40°C ~ 85°C (TA)