GD5F4GM8UEYIGY

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

GD5F4GM8UEYIGY

データシート

メモリ・ストレージ

LINEAR IC

量産中8-WDFN Exposed Padメモリ・ストレージ

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

メモリタイプNon-Volatile
技術FLASH - NAND (SLC)
アクセス時間7 ns
メーカーGigaDevice Semiconductor (HK) Limited
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
シリーズGD5F
書き込みサイクル時間600µs

電気特性

メモリ容量4Gbit
メモリ形式FLASH
Memory InterfaceSPI - Quad I/O, DTR
クロック周波数133 MHz
電源電圧2.7V ~ 3.6V
Memory Organization1G x 4

機械特性

パッケージTray
Package / Case8-WDFN Exposed Pad
サプライヤーデバイスパッケージ8-WSON (6x8)

環境条件

動作温度-40°C ~ 85°C (TA)