GD5F1GQ5UEYIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

GD5F1GQ5UEYIGR

データシート

メモリ・ストレージ

IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD

量産中8-WDFN Exposed Padメモリ・ストレージ

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

メモリタイプNon-Volatile
技術FLASH - NAND (SLC)
アクセス時間7 ns
メーカーGigaDevice Semiconductor (HK) Limited
実装タイプSurface Mount
梱包Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
製品ステータス量産中
シリーズGD5F
書き込みサイクル時間600µs

電気特性

メモリ容量1Gbit
メモリ形式FLASH
Memory InterfaceSPI - Quad I/O, QPI, DTR
クロック周波数133 MHz
電源電圧2.7V ~ 3.6V
Memory Organization256M x 4

機械特性

Package / Case8-WDFN Exposed Pad
サプライヤーデバイスパッケージ8-WSON (6x8)

環境条件

動作温度-40°C ~ 85°C (TA)