GD25WQ32ESIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

GD25WQ32ESIGR

メモリ・ストレージ

32MBIT, 1.65V-3.6V, SOP8 208MIL

量産中8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)メモリ・ストレージ

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

メモリタイプNon-Volatile
技術FLASH - NOR (SLC)
アクセス時間8 ns
メーカーGigaDevice Semiconductor (HK) Limited
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
書き込みサイクル時間120µs, 4ms

電気特性

メモリ容量32Mbit
メモリ形式FLASH
Memory InterfaceSPI - Quad I/O
クロック周波数104 MHz
電源電圧1.65V ~ 3.6V
Memory Organization4M x 8

機械特性

パッケージTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ8-SOP

環境条件

動作温度-40°C ~ 85°C (TA)