GD25WD40EKIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

GD25WD40EKIGR

データシート

メモリ・ストレージ

IC FLASH 4MBIT SPI/DUAL 8USON

量産中8-XFDFN Exposed Padメモリ・ストレージ

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

メモリタイプNon-Volatile
技術FLASH - NOR (SLC)
アクセス時間6 ns
ベース品番GD25WD40
メーカーGigaDevice Semiconductor (HK) Limited
実装タイプSurface Mount
梱包Tape & Reel (TR)
製品ステータス量産中
シリーズGD25WD
書き込みサイクル時間100µs, 6ms

電気特性

メモリ容量4Mbit
メモリ形式FLASH
Memory InterfaceSPI - Dual I/O
クロック周波数104 MHz
電源電圧1.65V ~ 3.6V
Memory Organization512K x 8

機械特性

Package / Case8-XFDFN Exposed Pad
サプライヤーデバイスパッケージ8-USON (1.5x1.5)

環境条件

動作温度-40°C ~ 85°C (TA)