GD25LX256EFIRR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

GD25LX256EFIRR

メモリ・ストレージ

256MBIT, 1.8V, SOP16 300MIL, IND

量産中16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)メモリ・ストレージ

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

メモリタイプNon-Volatile
技術FLASH - NOR (SLC)
アクセス時間6 ns
メーカーGigaDevice Semiconductor (HK) Limited
実装タイプSurface Mount
梱包Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
製品ステータス量産中
書き込みサイクル時間50µs, 1.2ms

電気特性

メモリ容量256Mbit
メモリ形式FLASH
Memory InterfaceSPI - Octal I/O, DTR
クロック周波数200 MHz
電源電圧1.65V ~ 2V
Memory Organization32M x 8

機械特性

Package / Case16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ16-SOP

環境条件

動作温度-40°C ~ 85°C (TA)