GD25LQ128EWIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

GD25LQ128EWIGR

データシート

メモリ・ストレージ

IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 8WSON

量産中8-WDFN Exposed Padメモリ・ストレージ

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

メモリタイプNon-Volatile
技術FLASH - NOR
アクセス時間7 ns
ベース品番GD25LQ128
メーカーGigaDevice Semiconductor (HK) Limited
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
書き込みサイクル時間60µs, 2.4ms

電気特性

メモリ容量128Mbit
メモリ形式FLASH
Memory InterfaceSPI - Quad I/O
クロック周波数120 MHz
電源電圧1.65V ~ 2V
Memory Organization16M x 8

機械特性

パッケージTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-WDFN Exposed Pad
サプライヤーデバイスパッケージ8-WSON (5x6)

環境条件

動作温度-40°C ~ 85°C (TA)