GD25LE128ESIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

GD25LE128ESIGR

メモリ・ストレージ

128MBIT, 1.8V, SOP8 208MIL, INDU

量産中8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)メモリ・ストレージ

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

メモリタイプNon-Volatile
技術FLASH - NOR (SLC)
アクセス時間6 ns
メーカーGigaDevice Semiconductor (HK) Limited
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
書き込みサイクル時間60µs, 2.4ms

電気特性

メモリ容量128Mbit
メモリ形式FLASH
Memory InterfaceSPI - Quad I/O, QPI
クロック周波数133 MHz
電源電圧1.65V ~ 2V
Memory Organization16M x 8

機械特性

パッケージTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ8-SOP

環境条件

動作温度-40°C ~ 85°C (TA)