GD25LD10CEIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

GD25LD10CEIGR

データシート

メモリ・ストレージ

IC FLSH 1MBIT SPI/DUAL I/O 8USON

量産中8-XFDFN Exposed Padメモリ・ストレージ

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

メモリタイプNon-Volatile
技術FLASH - NOR
ベース品番GD25LD10
メーカーGigaDevice Semiconductor (HK) Limited
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
書き込みサイクル時間55µs, 6ms

電気特性

メモリ容量1Mbit
メモリ形式FLASH
Memory InterfaceSPI - Dual I/O
クロック周波数50 MHz
電源電圧1.65V ~ 2V
Memory Organization128K x 8

機械特性

パッケージTape & Reel (TR)
Package / Case8-XFDFN Exposed Pad
サプライヤーデバイスパッケージ8-USON (2x3)

環境条件

動作温度-40°C~85°C(TA)